Diodes Incorporated
DMT10H017LPD-13 FET-, MOSFET-Arrays
DMT10H017LPD-13
289-DMT10H017LPD-13
Diodes Incorporated-DMT10H017LPD-13-datasheets-12404093.pdf
MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50
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Technische Daten
Configuration
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Product Status
Supplier Device Package
Drain to Source Voltage (Vdss)
Package / Case
Technology
REACH Status
Mfr
RoHS Status
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Operating Temperature
FET Feature
ECCN
Grade
Mounting Type
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Vgs(th) (Max) @ Id
Series
Qualification
Power - Max
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
HTSUS
Paket
Base Product Number
DMT10H017LPD-13 Unterlagen
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Mult Changes 11/May/2023 DMT10H017LPD Diodes Environmental Compliance Cert Verwandte Teile
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