Diodes Incorporated
ZXMN3F31DN8TA FET-, MOSFET-Arrays
ZXMN3F31DN8TA
289-ZXMN3F31DN8TA
Diodes Incorporated-ZXMN3F31DN8TA-datasheets-11817397.pdf
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SO
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Technische Daten
Operating Temperature
FET Feature
Configuration
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
ECCN
Mounting Type
Product Status
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Vgs(th) (Max) @ Id
Supplier Device Package
Drain to Source Voltage (Vdss)
Series
Package / Case
Technology
Power - Max
REACH Status
Mfr
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
HTSUS
Paket
RoHS Status
Base Product Number
Moisture Sensitivity Level (MSL)
ZXMN3F31DN8TA Unterlagen
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Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 ZXMN3F31DN8 ZXMN3F31DN8 Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013 Diodes Environmental Compliance Cert Verwandte Teile
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