Vishay / Siliconix
SIE882DF-T1-GE3 Einzelne FETs, MOSFETs
SIE882DF-T1-GE3
278-SIE882DF-T1-GE3
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MOSFET N-CH 25V 60A 10POLARPAK
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Technische Daten
FET Type
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Product Status
Supplier Device Package
Drain to Source Voltage (Vdss)
Power Dissipation (Max)
Package / Case
Technology
REACH Status
Mfr
Vgs (Max)
RoHS Status
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Operating Temperature
FET Feature
ECCN
Mounting Type
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Vgs(th) (Max) @ Id
Series
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
HTSUS
Paket
Base Product Number
SIE882DF-T1-GE3 Unterlagen
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SIE882DF OBS NOTICE 29/Nov/2023 SIE882DF Verwandte Teile
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