Texas Instruments_TPS1100DR

Texas Instruments
TPS1100DR
Einzelne FETs, MOSFETs

TPS1100DR
278-TPS1100DR
Ersa
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MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC
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    ISO9001
    Quality Policy

    Technische Daten

    FET Type
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    Product Status
    Supplier Device Package
    Drain to Source Voltage (Vdss)
    Power Dissipation (Max)
    Package / Case
    Technology
    REACH Status
    Mfr
    Vgs (Max)
    RoHS Status
    Moisture Sensitivity Level (MSL)
    Operating Temperature
    FET Feature
    ECCN
    Mounting Type
    Rds On (Max) @ Id, Vgs
    Vgs(th) (Max) @ Id
    Series
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    HTSUS
    Paket
    Base Product Number

    TPS1100DR Unterlagen

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