STMicroelectronics
STD11N65M2 Einzelne FETs, MOSFETs
STD11N65M2
278-STD11N65M2
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MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
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Technische Daten
FET Type
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Product Status
Supplier Device Package
Drain to Source Voltage (Vdss)
Power Dissipation (Max)
Package / Case
Technology
REACH Status
Mfr
Vgs (Max)
RoHS Status
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Operating Temperature
FET Feature
ECCN
Mounting Type
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Vgs(th) (Max) @ Id
Series
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
HTSUS
Paket
Base Product Number
STD11N65M2 Unterlagen
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Mult Dev Wafer Site Add 3/Aug/2018 ST(D, P, U)11N65M2 Reel Design Change 22/Aug/2022 ST(D, P, U)11N65M2 Verwandte Teile
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