ROHM Semiconductor
RS1E350BNTB1 Einzelne FETs, MOSFETs
RS1E350BNTB1
278-RS1E350BNTB1
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NCH 30V 80A POWER MOSFET: RS1E35
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Technische Daten
FET Type
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Product Status
Supplier Device Package
Drain to Source Voltage (Vdss)
Power Dissipation (Max)
Package / Case
Technology
REACH Status
Mfr
Vgs (Max)
RoHS Status
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Operating Temperature
FET Feature
ECCN
Mounting Type
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Vgs(th) (Max) @ Id
Series
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
HTSUS
Paket
Base Product Number
RS1E350BNTB1 Unterlagen
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