onsemi_NSVB144EPDXV6T1G

onsemi
NSVB144EPDXV6T1G
Bipolare Transistor-Arrays, vorgespannt

onsemi
NSVB144EPDXV6T1G
293-NSVB144EPDXV6T1G
Ersa
onsemi-NSVB144EPDXV6T1G-datasheets-9165359.pdf
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
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ersa FreeSample
ISO9001
Quality Policy

Technische Daten

Frequency - Transition
Current - Collector (Ic) (Max)
Resistor - Base (R1)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
ECCN
Mounting Type
Product Status
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
Supplier Device Package
Series
Transistor Type
Package / Case
Power - Max
REACH Status
Mfr
Resistor - Emitter Base (R2)
Current - Collector Cutoff (Max)
HTSUS
Paket
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Base Product Number
Moisture Sensitivity Level (MSL)

NSVB144EPDXV6T1G Unterlagen

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation herunter für NSVB144EPDXV6T1G

Ersa Assembly/Test Site Transfer 06/Jan/2015      
Ersa MUN5313DW1, NSBC144EPDxx      
Ersa MUN5313DW1, NSBC144EPDxx      
Ersa onsemi RoHS       onsemi REACH      

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