onsemi
NSBA144WDXV6T1G Bipolare Transistor-Arrays, vorgespannt
NSBA144WDXV6T1G
293-NSBA144WDXV6T1G
onsemi-NSBA144WDXV6T1G-datasheets-9027555.pdf
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
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Technische Daten
Frequency - Transition
Current - Collector (Ic) (Max)
Resistor - Base (R1)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
ECCN
Mounting Type
Product Status
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
Supplier Device Package
Series
Transistor Type
Package / Case
Power - Max
REACH Status
Mfr
Resistor - Emitter Base (R2)
Current - Collector Cutoff (Max)
HTSUS
Paket
RoHS Status
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Base Product Number
Moisture Sensitivity Level (MSL)
NSBA144WDXV6T1G Unterlagen
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Mult Dev 24/Apr/2020 MUN5137DW1, NSBA144WDxx Mult Devices 27/Oct/2017 Carrier Tape 15/Aug/2017 onsemi RoHS onsemi REACH Material Declaration NSBA144WDXV6T1G Verwandte Teile
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