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FQPF10N60C Einzelne FETs, MOSFETs
FQPF10N60C
278-FQPF10N60C
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MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220F
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Technische Daten
FET Type
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Product Status
Supplier Device Package
Drain to Source Voltage (Vdss)
Power Dissipation (Max)
Package / Case
Technology
REACH Status
Mfr
Vgs (Max)
RoHS Status
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Operating Temperature
FET Feature
ECCN
Mounting Type
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Vgs(th) (Max) @ Id
Series
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
HTSUS
Paket
Base Product Number
FQPF10N60C Unterlagen
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Wafer Fab 28/Jul/2021 FQP10N60C, FQPF10N60C Mult Devices 24/Oct/2017 Mult Dev EOL 23/Dec/2021 FQP10N60C, FQPF10N60C Logo 17/Aug/2017 onsemi RoHS Material Declaration FQPF10N60C onsemi REACH Verwandte Teile
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