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2SK536-TB-E Einzelne FETs, MOSFETs
2SK536-TB-E
278-2SK536-TB-E
MOSFET N-CH 50V 100MA SC59
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Technische Daten
FET Type
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Product Status
Supplier Device Package
Drain to Source Voltage (Vdss)
Power Dissipation (Max)
Package / Case
Technology
REACH Status
Mfr
Vgs (Max)
RoHS Status
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Operating Temperature
FET Feature
ECCN
Mounting Type
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Vgs(th) (Max) @ Id
Series
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
HTSUS
Paket
Base Product Number
2SK536-TB-E Unterlagen
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Wafer Fab Transfer 25/Sep/2014 Mult Dev EOL 7/Apr/2021 2SK536 Material Declaration 2SK536-TB-E onsemi RoHS onsemi REACH Verwandte Teile
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